Daftar Persamaan Transistor MOSFET

Daftar Persamaan Transistor MOSFET : Pembahasan Lengkap

Posted on

Empat Pilar – Daftar Persamaan Transistor MOSFET : Pembahasan Lengkap. Dalam dunia elektronika modern, transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) menjadi komponen kunci yang mendukung berbagai aplikasi, mulai dari perangkat digital hingga sistem daya tinggi. Keberhasilan teknologi MOSFET dalam mengontrol arus listrik membuatnya menjadi elemen esensial dalam desain sirkuit terkini.

Untuk memahami lebih lanjut tentang transistor MOSFET, penting untuk mengeksplorasi daftar persamaannya. Dalam artikel ini, kita akan membahas beberapa Daftar Persamaan Transistor MOSFET dan perannya yang krusial dalam dunia teknologi elektronika.

Pengertian MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu perangkat semikonduktor yang berfungsi sebagai saklar atau penguat sinyal dalam berbagai perangkat elektronik. Seiring dengan kemajuan teknologi, MOSFET telah menjadi elemen kunci dalam dunia elektronika, digunakan secara luas dalam perangkat seperti ponsel pintar, komputer, dan berbagai sistem lainnya.

MOSFET memiliki struktur dasar yang terdiri dari empat terminal, yaitu Source (S), Gate (G), Drain (D), dan Body (B). Masing-masing terminal memiliki peran khusus dalam mengatur aliran arus listrik melalui perangkat ini. Source merupakan titik awal muatan listrik, Drain adalah titik akhir muatan, sedangkan Gate berfungsi untuk mengontrol aliran muatan antara Source dan Drain. Body adalah terminal yang memberikan koneksi ke substrat semikonduktor.

Prinsip kerja MOSFET melibatkan variasi lebar saluran pembawa muatan (electron atau hole) yang mengalir antara Source dan Drain. Muatan listrik masuk melalui saluran pada Source dan keluar melalui Drain. Lebar saluran ini dikendalikan oleh tegangan yang diterapkan pada elektroda yang disebut Gate. Lapisan oksida logam yang sangat tipis di antara Gate dan saluran berfungsi sebagai isolator, memungkinkan kontrol yang presisi terhadap arus yang mengalir.

MOSFET juga sering menjadi inti dari Integrated Circuit (IC) karena ukurannya yang sangat kecil. Desain yang kompak membuatnya ideal untuk aplikasi modern yang membutuhkan efisiensi ruang. Kapasitansi MOS pada MOSFET memiliki peran krusial dalam kinerjanya. Lapisan oksida logam yang tipis menciptakan kapasitor yang dapat mengakumulasi muatan listrik, memungkinkan MOSFET untuk merespons dengan cepat terhadap perubahan tegangan pada Gate.

Daftar Persamaan Transistor MOSFET

Setiap jenis transistor pasti mempunyai persamaan yang lengkap, salah satunya MOSFET. Untuk lebih jelasnya terkait jenis transistor MOSFET ini, maka Kamu bisa menyimak informasi di bawah ini :

1. Persamaan Transistor MOSFET IRFZ44N

Transistor MOSFET IRFZ44N merupakan salah satu jenis N-Channel dengan daya tinggi. Transistor ini mampu mengalirkan arus hingga 41 A antara pin source dan drain. Umumnya digunakan dalam sirkuit switching arus besar, seperti pada mesin las listrik.

Transistor ini juga sering digunakan pada rangkaian elektronika dengan daya sedang. Tegangan pada pin gate MOSFET IRFZ44N ini cukup rendah, sekitar 4V, sehingga cocok digunakan dalam sirkuit driver mikrokontroller seperti Arduino.

Karakteristik utama meliputi:

  • Daya maksimal 94W
  • Tegangan drain-source maksimal 55V
  • Tegangan gate-source maksimal 20V
  • Arus drain maksimal 49A
  • Suhu kerja maksimal 170°C
  • Kapasitas gate 62nC
  • Resistansi drain-source 0.024 Ohm

Beberapa transistor yang setara dengan IRFZ44N antara lain IRFZ46N, STP55N06, 2SK2376, BUK456-60H, STP50N06, 2SK2312, BUJ102S, IRF1010A, IRF2807, IRFB3207, dan IRF1010E.

2. Persamaan Transistor MOSFET K2698

Transistor MOSFET K2698 merupakan MOSFET daya yang diproduksi menggunakan teknologi VDMOS dengan garis planar canggih dari Winsemi. Teknologi terkini ini dirancang khusus untuk mengurangi resistansi dengan karakteristik longsoran yang tinggi.

Transistor ini sangat sesuai untuk aplikasi sebagai daya switching AC-DC dan konverter daya DC-DC, terutama pada penggerak motor H-bridge dengan PMW tegangan tinggi.

Beberapa karakteristiknya meliputi:

  • Kemampuan switching yang cepat
  • Uji avalanche mencapai 100%
  • Suhu maksimum mencapai 150°C
  • Jenis 42nC
  • Termasuk dalam kategori Silicon N-Channel MOSFET

Transistor MOSFET dengan jenis K2698 memiliki persamaan dengan K2698B dan tetap termasuk dalam kelompok Silicon N-Channel MOSFET.

3. Persamaan Transistor MOSFET K3878

Berikutnya, pada daftar transistor MOSFET, kita memiliki jenis K3878. MOSFET K3878 merupakan perangkat silicon tiga terminal dengan kemampuan konduksi arus mencapai 9A. Selain memiliki kemampuan konduksi yang tinggi, MOSFET ini juga menonjolkan kecepatan switching yang cepat.

Baca Juga :  Pengertian Field Effect Transistor : Jenis dan Kelebihannnya

MOSFET K3878 dirancang khusus untuk aplikasi seperti catu daya mode yang dialihkan, konverter arus DC ke DC, penggunaan dalam sirkuit kontrol motor atau UPS, regulator switching, dan berbagai aplikasi switching dengan tujuan umum lainnya.

Beberapa karakteristik lain dari MOSFET K3878 meliputi:

  • Tegangan maksimum mencapai 900V
  • Tegangan ambang batas maksimal 4V
  • Kapasitansi transfer balik yang rendah
  • Suhu operasi mencapai 150°C

Beberapa transistor MOSFET yang setara dengan K3878 meliputi 2SK3757, 2SK3766, 2SK3767, 2SK3798, 2SK3799, 2SK3842, 2SK3843, 2SK3845, 2SK4106, 2SK3880, 2SK3940, 2SK4003, 2SK4013, 2SK4014, 2SK4017, 2SK4023, dan 2SK4026.

4. Persamaan Transistor MOSFET P55NF06

Berikutnya, kita memiliki MOSFET P55NF06 yang tetap masuk dalam kategori MOSFET N-Channel, dengan kemampuan arus pembuangan tinggi mencapai 50A dan resistansi Rds rendah, yakni 18mOhm. MOSFET P55NF06 memiliki VGS sebesar 20V, yang memungkinkan MOSFET beroperasi.

Transistor ini umumnya digunakan untuk menggerakkan aplikasi tertentu. Namun, dalam sirkuit pengemudi, MOSFET P55NF06 juga diperlukan jika harus dialihkan sepenuhnya.

Konfigurasi MOSFET P55NF06 melibatkan:

  • Gate, berfungsi untuk mengontrol bias MOSFET
  • Drain, tempat arus masuk melalui drain
  • Source, tempat arus keluar melalui source

Spesifikasi lain yang menonjol dari jenis ini melibatkan:

  1. Tegangan ambang gerbang (VGS-th) hingga 20V
  2. Resistansi drain-source sebesar 0.018 Ohm
  3. Arus pembuangan mencapai 35A
  4. Kapasitansi input mencapai 1300pF
  5. Kapasitansi keluaran mencapai 300pF

Beberapa persamaan dari transistor MOSFET P55NF06 meliputi:

  • IRF2807
  • IRFB3207
  • IRFB4710
  • IRFZ44N
  • IRF1405
  • IRF540N
  • IRF3205

Tipe-tipe transistor MOSFET di atas memiliki kapasitas yang hampir setara dengan P55NF06.

5. Persamaan Transistor MOSFET 50N06

Berikutnya pada daftar persamaan transistor MOSFET, kita memiliki MOSFET 50N06. MOSFET 50N06 ini termasuk dalam kategori N-Channel dan merupakan perangkat silicon tiga terminal yang mampu mengonduksi arus hingga sekitar 50A dengan kecepatan switching yang cepat.

Transistor ini sangat cocok untuk digunakan dalam ballast elektronik dan peralatan daya dengan mode switching daya rendah. Resistansi on-state rendah, tegangan kerusakan mencapai 60V, dan ambang batas maksimal sekitar 4V.

Beberapa transistor yang setara dengan MOSFET 50N06 meliputi UFZ44 dan FTK50N06P.

6. Persamaan Transistor MOSFET 5N60

Transistor MOSFET 5N60 menonjol dengan desain karakteristik yang baik, termasuk kecepatan switching yang cepat, daya gate rendah, resistansi rendah, dan karakteristik rugged avalanche yang tinggi.

MOSFET 5N60, yang termasuk dalam kategori N-Channel, memiliki kemampuan konduksi hingga 5A. Umumnya digunakan dalam aplikasi switching dengan kecepatan tinggi pada sumber daya, seperti kontrol motor dengan PWM, konverter arus DC ke DC, dan sirkuit jembatan.

Beberapa transistor MOSFET yang sepadan dengan 5N60 melibatkan 5N60F, 5N65, dan 5N65K.

7. Persamaan Transistor MOSFET SVF4N65F

MOSFET SVF4N65F merupakan MOSFET N-Channel yang menggunakan teknologi dan desain trench yang canggih, memberikan daya gate yang sangat baik. Transistor ini umum digunakan dalam berbagai aplikasi.

Beberapa karakteristiknya meliputi:

  • Paket yang sangat baik untuk pembuangan panas.
  • Perangkat yang ramah lingkungan.
  • Tegangan VGS mencapai 10V.

Persamaan dari MOSFET SVF4N65F melibatkan 2SK3757, 2SK3766, 2SK3767, 2SK3798, 2SK3799, 2SK3842, 2SK3843, 2SK3845, 2SK4106, 2SK3880, 2SK3940, 2SK4003, 2SK4013, 2SK4014, 2SK4017, 2SK4023, dan 2SK4026.

8. Persamaan Transistor MOSFET 7N65C

MOSFET 7N65 merupakan MOSFET dengan tegangan tinggi. Dirancang dengan karakteristik yang unggul seperti waktu peralihan cepat, pengisian gerbang rendah, resistansi on state yang rendah, dan longsoran yang tinggi.

MOSFET ini sering digunakan untuk aplikasi switching cepat seperti catu daya dan adaptor. Jika jenis ini tidak tersedia, dapat digantikan dengan tipe:

  • 8N60C
  • 10N60C
  • 12N60C

9. Persamaan Transistor MOSFET K7A65D

Terakhir dalam daftar persamaan transistor MOSFET adalah K7A65D. MOSFET K7A65D juga termasuk dalam kategori N-Channel dan biasanya diaplikasikan sebagai switching regulator.

Beberapa karakteristiknya mencakup:

  • Resistansi drain-source yang rendah
  • Transfer yang cepat
  • Tegangan VDS mencapai 650V

Persamaan transistor yang dapat digunakan sebagai pengganti K7A65D meliputi K2996, karena volt dan watt yang dimilikinya hampir sama.

10. Persamaan MOSFET IRF1404

IRF1404 adalah MOSFET daya yang umumnya digunakan dalam aplikasi switching daya tinggi. Ini merupakan MOSFET kanal-N dengan rating tegangan 55V dan rating arus 140A.

Beberapa transistor yang setara dengan IRF1404 meliputi IRF2804, IRFB3004, IRFB3077, IRFB3206, IRFB3006G, dan IRFB3077.

11. Persamaan MOSFET IRF740

IRF740 adalah MOSFET Daya N-Channel yang mampu mengalihkan beban hingga 400V. Transistor ini dapat mengendalikan beban dengan arus hingga 10A dan diaktifkan dengan memberikan tegangan ambang gerbang 10V melalui pin Gate dan Source.

Transistor yang setara dengan IRF740 melibatkan 2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A, IRF740S, MTP10N40E, RFP7N35, dan RFP7NA40.

Baca Juga :  Ketahui, Tiga Jenis Konfigurasi Transistor Bipolar Secara Lengkap

12. Persamaan MOSFET IRF640

IRF640 adalah N Channel MOSFET yang dirancang untuk switching dengan kecepatan tinggi. Kemampuan switching tinggi ini bermanfaat dalam aplikasi di mana kecepatan switching kritis, seperti dalam UPS atau aplikasi lain yang melibatkan perubahan sumber daya beban.

Beberapa transistor setara dengan IRF640 melibatkan YTA640, IRF641, IRF642, IRFB4620, IRFB5620, 2SK740, STP19NB20, BUK455-200A, BUK456-200A, BUK456-200B, BUZ30A, MTP20N20E, RFP15N15, 2SK891, 18N25, 18N40, dan 22N20.

13. Persamaan MOSFET 20N60

20N60 adalah MOSFET daya yang sering digunakan dalam aplikasi switching daya tinggi. Beberapa MOSFET daya yang bisa digunakan sebagai alternatif untuk 20N60 meliputi 20N65, 22N60, dan 22N65.

14. Persamaan MOSFET 10N60

10N60 adalah MOSFET ideal untuk aplikasi switch daya, mampu menggerakkan beban hingga 10A. Beberapa transistor setara dengan 10N60 termasuk 10N03, 10N30, 10N40, 10N40C, 10N40E1D, 10N60F, 10N40F1D, 10N50F1D, 10N60KBD, dan 10N60F.

15. Persamaan MOSFET IRFP460

IRFP460 adalah MOSFET N-Channel yang tersedia dalam paket TO-247. Dengan tegangan drain-to-source maksimum 500V, arus drain kontinu maksimum 20A, dan daya pulsa maksimum 80A, beberapa transistor yang setara meliputi TA17465, 2SK1517, 2SK1518, 2SK1516, 2SK2057, 2SK1169, STW20NB50, dan MTW20N50E.

Penutup

Seiring perkembangan teknologi, pemahaman mendalam terhadap transistor MOSFET akan semakin penting. Dengan memahami persamaan-persamaan yang mendasarinya, kita dapat merancang solusi inovatif dan mengambil langkah menuju era teknologi yang lebih maju.

Dengan demikian, daftar persamaan transistor MOSFET bukan hanya sekadar informasi teknis, tetapi juga kunci pembuka menuju eksplorasi lebih lanjut dalam dunia teknologi elektronika. Semakin kita memahami dan mengasah pengetahuan mengenai persamaan-persamaan ini, semakin dekat pula kita dengan terobosan-terobosan baru yang akan membentuk masa depan teknologi.

Itu saja yang bisa empatpilar.com sampaikan mengenai pembahasan Daftar Persamaan Transistor MOSFET. Semoga bermanfaat

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *